隨著LED產(chǎn)量的增加，LED制造商正在尋找可以?xún)?yōu)化劃片寬度、劃片速度與加工產(chǎn)量的新工藝進(jìn)展。新型LED光纖激光打標(biāo)機(jī)剝離（LLO）和聚廣恒光纖激光打標(biāo)機(jī)晶圓劃片設(shè)備給LED制造商提供了高性?xún)r(jià)比的工業(yè)工具，可以滿(mǎn)足日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)需求。
高亮度垂直結(jié)構(gòu)LED 通常情況下，藍(lán)光/綠光LED是由幾微米厚的氮化鎵（Gan）薄膜在藍(lán)寶石襯底上外延生長(zhǎng)形成的。一些LED的制造成本主要取決于藍(lán)寶石襯底本身的成本和劃片-裂片加工成本。對(duì)于傳統(tǒng)的LED倒裝橫向結(jié)構(gòu)，藍(lán)寶石是不會(huì)被剝離的，因此，陰極和陽(yáng)極都在同一側(cè)的氮化鎵外延層（epi）。 這種橫向結(jié)構(gòu)對(duì)于高亮度LED有幾個(gè)缺點(diǎn)：材料內(nèi)電流密度大、電流擁擠、可靠性較差、壽命較短；此外，通過(guò)藍(lán)寶石的光損很大。
設(shè)計(jì)人員通過(guò)新?lián)P鈴電子代理銷(xiāo)售的聚廣恒光纖激光打標(biāo)機(jī)剝離（LLO）工藝可以實(shí)現(xiàn)垂直結(jié)構(gòu)的LED，它克服了傳統(tǒng)的橫向結(jié)構(gòu)的各種缺陷。垂直結(jié)構(gòu)LED可以提供更大的電流，消除電流擁擠問(wèn)題以及器件內(nèi)的瓶頸問(wèn)題，顯著提高LED的*大輸出光功率與*大效率。
垂直LED結(jié)構(gòu)要求在加電極之前剝離掉藍(lán)寶石。準(zhǔn)分子聚廣恒光纖激光打標(biāo)機(jī)器已被證明是分離藍(lán)寶石與氮化鎵薄膜的有效工具。LED聚廣恒光纖激光打標(biāo)機(jī)剝離技術(shù)大大減少了LED加工時(shí)間，降低了生產(chǎn)成本，使制造商在藍(lán)寶石晶圓上生長(zhǎng)氮化鎵LED薄膜器件，并使薄膜器件與熱沉進(jìn)行電互連。這個(gè)工藝使得氮化鎵薄膜可以獨(dú)立于支撐物，并且氮化鎵LED可以集成到任何基板上。
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